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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時(shí)測(cè)得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測(cè)得的加在壓敏電阻器上的電場(chǎng)強(qiáng)度；C值是指在電流為1A（也有的地方說1mA，但差別不大）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個(gè)相同的壓敏電阻器串聯(lián)或并聯(lián)時(shí)C值的變化如下：

a）串聯(lián)時(shí)電流不變，電壓增大n倍，這時(shí)C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯(lián)來提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯(lián)時(shí)電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯(lián)來提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對(duì)極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個(gè)背對(duì) 背的二極管。進(jìn)一步說，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時(shí)，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢(shì)壘電勢(shì)，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

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