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老化失效，這是指電阻體的低阻線性化逐步加劇，漏電流惡性增加且集中流入薄弱點(diǎn)，薄弱點(diǎn)材料融化，形成1k?左右的短路孔后，電源繼續(xù)推動(dòng)一個(gè)較大的電流灌入短路點(diǎn)，形成高熱而起火。這種事故通常可以通過一個(gè)與壓敏電阻串聯(lián)的熱熔接點(diǎn)來避免。熱熔接點(diǎn)應(yīng)與電阻體有良好的熱耦合，當(dāng)沖擊電流流過時(shí)不會(huì)斷開，但當(dāng)溫度超過電阻體上限工作溫度時(shí)即斷開。研究結(jié)果表明， 若壓敏電阻存在著制造缺陷，易發(fā)生早期失效， 強(qiáng)度不大的電沖擊的多次作用，也會(huì)加速老化過程，使老化失效提早出現(xiàn)。

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構(gòu)成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學(xué)計(jì)量　ｎ　型半導(dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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