壓敏電阻|源林電子(優(yōu)質(zhì)商家)|控制板壓敏電阻：

壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，廠家直銷(xiāo)

ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優(yōu)異的一種。近年來(lái)，由于電子設(shè)備向小型化、多功能化發(fā)展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領(lǐng)域內(nèi)對(duì)壓敏電阻器的應(yīng)用也提出了越來(lái)越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點(diǎn)。為了尋求一個(gè)相對(duì)合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學(xué)專業(yè)理論知識(shí)與實(shí)際相結(jié)合，經(jīng)文獻(xiàn)查閱，我們?cè)O(shè)計(jì)了添加劑的量依次適當(dāng)增加的四組平行實(shí)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行研究。本文首先簡(jiǎn)析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結(jié)構(gòu)、研究現(xiàn)狀及壓敏電阻的性能參數(shù)，并詳細(xì)解釋了其導(dǎo)電機(jī)理。同時(shí)對(duì)制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過(guò)熱分析的實(shí)驗(yàn)和老師的指導(dǎo)得出，燒結(jié)溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個(gè)溫度下保溫2h的燒結(jié)條件。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、性價(jià)比高，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來(lái)電咨詢！

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時(shí)，位于非線性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線的的拐點(diǎn)上，該電壓確定為元件的啟動(dòng)電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測(cè)試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時(shí)測(cè)量的，用U1mA來(lái)表示。對(duì)于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過(guò)調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來(lái)改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測(cè)定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱電流測(cè)試者，標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測(cè)定的電場(chǎng)強(qiáng)度E0.5表示，對(duì)于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個(gè)值更接近非線性的起始點(diǎn)。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過(guò)的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn)：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時(shí)流過(guò)元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時(shí)，漏電流較大；反之，漏電流較小。可以通過(guò)配方的調(diào)整及制造工藝的改善來(lái)減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來(lái)源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大，低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2，過(guò)量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大。測(cè)試元件的非線性時(shí)，我們希望漏電流以通過(guò)晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒(méi)有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

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