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介電特性：

壓敏電阻器類似一邊界層電容器，視在介電常數(shù)很高。介電常數(shù)和介電損耗與頻率，溫度和所加的電壓有關(guān)，在30-106°C的溫度范圍內(nèi)，介電常數(shù)隨溫度升高而增大；介電常數(shù)隨頻率升高而下降；電容在低電場(chǎng)區(qū)域隨所加電壓的增加而降低，進(jìn)入中電場(chǎng)區(qū)域隨電壓增大而急劇上升。

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時(shí)大得多。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價(jià)和正二價(jià)的Zni和Vo，負(fù)一價(jià)和負(fù)二價(jià)的

VZn ，正一價(jià)的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢(shì)壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時(shí)原子運(yùn)動(dòng)加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過(guò)程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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